DDR3&DDR2&DDR

普深 — Fri, 22 Mar 2013 11:26:23 GMT

DDR叫DDR SDRAM，是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此又称为双倍速率同步动态随机存储器.
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个。在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，这得意于DDR2内存拥有两倍于DDR内存的4BIT预读取能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可达到400MHz。这样也出现了另一个问题，在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。例如，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
DDR2另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率的提升难度，这也就是DDR核心频率很难突破275MHz的原因。
DDR2的物理规格和DDR是不兼容的，首先是借口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR3可以看作DDR2的改进版。DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
DDR3的预读取为8bit，所以突发传输周期（BL,Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输。
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟AL的设计也有变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0，CL-1和CL-2.另外，DDR3还增加了一个时序参数--写入延迟CWD，这一参数将根据具体的工作频率而定。
8bit预读取设计，较DDR2的4bit预读取提升一倍，其运算率介于800MHz-1600MHz之间。此外，DDR3的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更省电。

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